长鑫HBM3E拟限量生产,良率仅两到三成

长鑫存储正在把 HBM3E 推向生产线。路透社援引两名知情人士报道,这家合肥的存储厂商已经向多家国内 AI 芯片设计公司送样 HBM3E,计划在未来两个月内启动限量生产。同一组消息源给出的良率只有 20% 到 30%,SK 海力士同类产品约为 70%。

报道还提到,长鑫的样品在测试里表现更接近 SK 海力士的上一代 HBM3,预计售价会高于海外同类产品。良率低、性能差一代、价格更贵,长鑫仍选择往前推,原因在需求侧:美国出口管制之下,国内 AI 芯片厂商拿不到足够的高带宽内存。

示意图:HBM 晶圆上少量完好堆叠芯片与满盘次品形成对比,表现低良率

两种说法对不上的时间点

关于长鑫 HBM3E 走到了哪一步,公开信息并不一致。今年 9 月初,The Information 报道称长鑫已开始小批量生产 HBM3E,阿里旗下平头哥和寒武纪正在用它测试自家处理器,扩产放在 2027 年。路透社这次的说法是”未来两个月内启动限量生产”,比前者晚了一拍。

两份报道可能指的是不同阶段:前者偏工程批次,后者指面向客户的限量供货。长鑫、平头哥、寒武纪都没有公开确认过这些试产和测试,良率、堆叠层数、客户验证进度一直没有官方数字,目前只能以知情人士的口径为准。

良率的估算倒是前后接近。研究机构 SemiAnalysis 在 6 月估过约 25%;韩国 ChosunBiz 9 月的报道写到试产良率约 25%,不过它描述的产品是 8 层 HBM3。路透社这次的 20% 到 30% 落在同一区间,几个月下来看不出明显起色,也看不出恶化。

跟韩国两家差在哪

把时间线并排放,差距比较直观。SK 海力士 2024 年就开始量产 HBM3E,三星随后跟进;长鑫如果按路透社的说法在今年底前后启动限量生产,晚了大约两年。熟悉长鑫的人士此前估计,它在技术上落后头部厂商三到五年。

HBM 难在堆叠。八层、十二层 DRAM 裸片要用硅通孔垂直连起来再封装,任何一层出问题,整颗堆叠就报废,所以总良率是每道工序良率乘出来的。SK 海力士 70% 左右的水平也是调了好几代产品才拿到的。长鑫在 DDR5 上有过类似的起步,2024 年底韩国媒体曾报道其 DDR5 良率可能只有一到两成,之后才逐步爬坡。

需求端的紧张程度可以从机构报告里看出来。摩根士丹利此前判断,HBM3E 供应会是 2027 年中国 AI GPU 出货的主要瓶颈;它同时估计,即便良率偏低,长鑫 2027 年仍能做出约 300 万到 400 万颗 HBM3E 堆叠。这个产能能配多少张加速卡,要看各家芯片用几颗 HBM,报告没有给出拆分。

资本市场先给了位置

长鑫科技今年 7 月 27 日登陆科创板,10 月 27 日满三个月。中证指数公司最新披露,它已被纳入上证综合指数,权重 4.67%,排在第一,高于农业银行和工商银行;在上证科创板综合指数里权重 15.74%,同样居首,寒武纪、海光信息分列其后。

市场眼下给的估值,主要来自通用 DRAM 的涨价周期。HBM3E 能不能从送样走到稳定供货,要看良率明年能爬到多少:如果一直停在两三成,每颗堆叠的成本很难压到芯片厂愿意大批采购的水平,哪怕国内暂时找不到更便宜的替代品。

参考来源:路透社、The Information、CocoLoop、ChosunBiz、格隆汇;核验长鑫 HBM3E 良率区间、SK 海力士良率对照与上证指数权重数据。