ChangXin Memory Technologies (CXMT) está llevando la HBM3E a la línea de producción. Reuters, citando a dos personas familiarizadas con el asunto, informa de que el fabricante de memoria con sede en Hefei ya ha enviado muestras de HBM3E a varias empresas chinas de diseño de chips de IA y planea iniciar una producción limitada en los próximos dos meses. Las mismas fuentes sitúan el rendimiento en apenas un 20 % a 30 %, frente al 70 % aproximado de los productos equivalentes de SK Hynix.
El reportaje añade que, en las pruebas, las muestras de CXMT se parecen más a la HBM3, la generación anterior de SK Hynix, y que su precio previsto será superior al de los equivalentes extranjeros. Rendimiento bajo, una generación de retraso en prestaciones y un precio más alto: aun así, CXMT sigue adelante, y la razón está en la demanda. Bajo los controles de exportación de Estados Unidos, los fabricantes chinos de chips de IA no consiguen suficiente memoria de gran ancho de banda.
Dos versiones que no coinciden en el calendario
La información pública sobre en qué punto está la HBM3E de CXMT no es coherente. A principios de septiembre, The Information informó de que CXMT había empezado la producción en lotes pequeños de HBM3E, que T-Head, la división de chips de Alibaba, y Cambricon la usaban para probar sus procesadores, y que la ampliación quedaba para 2027. Reuters habla ahora de "iniciar producción limitada en los próximos dos meses", un paso por detrás del relato anterior.
Es posible que ambos informes se refieran a fases distintas: el primero, a lotes de ingeniería; el segundo, al suministro limitado a clientes. CXMT, T-Head y Cambricon nunca han confirmado públicamente esta producción piloto ni las pruebas; el rendimiento, el número de capas apiladas y el avance de la validación por parte de los clientes siguen sin cifras oficiales, por lo que de momento solo cabe atenerse a lo que dicen las fuentes.
Las estimaciones de rendimiento, en cambio, se parecen bastante. La consultora SemiAnalysis calculó en junio alrededor del 25 %; el medio surcoreano ChosunBiz escribió en septiembre que el rendimiento en la producción piloto rondaba el 25 %, aunque el producto que describía era una HBM3 de 8 capas. El 20-30 % de este informe de Reuters cae en el mismo rango: pasados unos meses no se aprecia ni una mejora clara ni un empeoramiento.
En qué se queda corta frente a las dos coreanas
Al poner los calendarios en paralelo, la distancia se ve con claridad. SK Hynix fabrica HBM3E en volumen desde 2024 y Samsung la siguió después; si CXMT inicia la producción limitada hacia finales de este año, como dice Reuters, irá unos dos años por detrás. Personas conocedoras de CXMT estimaban antes que la empresa iba entre tres y cinco años por detrás de los líderes en tecnología.
La dificultad de la HBM está en el apilado. Ocho o doce chips de DRAM se conectan en vertical mediante vías a través del silicio (TSV) y luego se encapsulan; si falla una sola capa, toda la pila se descarta, así que el rendimiento total es el producto de los rendimientos de cada proceso. El 70 % aproximado de SK Hynix también se logró tras ajustar varias generaciones de producto. CXMT tuvo un arranque parecido con la DDR5: a finales de 2024, medios surcoreanos informaron de que su rendimiento en DDR5 podía ser de solo un 10 % a 20 %, y después fue mejorando poco a poco.
La tensión de la demanda se aprecia en los informes de los analistas. Morgan Stanley estimó antes que el suministro de HBM3E será el principal cuello de botella para los envíos de GPU de IA en China en 2027; calcula además que, incluso con un rendimiento bajo, CXMT aún podría fabricar en 2027 unos 3 a 4 millones de pilas de HBM3E. Cuántas tarjetas aceleradoras puede cubrir esa capacidad depende de cuántas pilas de HBM use cada chip, y el informe no ofrece ese desglose.
El mercado de capitales ya le ha dado un lugar
CXMT debutó en el STAR Market el 27 de julio de este año y el 27 de octubre cumplió tres meses cotizada. Según la última divulgación de China Securities Index, ha sido incluida en el índice SSE Composite con un peso del 4,67 %, el primero de todos, por encima de Agricultural Bank of China e ICBC; en el índice SSE STAR Market Composite su peso es del 15,74 %, también el primero, seguida de Cambricon y Hygon.
La valoración que el mercado paga ahora procede sobre todo del ciclo alcista de precios de la DRAM convencional. Que la HBM3E pase de las muestras al suministro estable dependerá de cuánto suba el rendimiento el año que viene: si se queda en dos o tres décimas, será difícil bajar el coste de cada pila al nivel al que los fabricantes de chips estén dispuestos a comprar en grandes volúmenes, aunque en China no haya por ahora una alternativa más barata.
Fuentes: Reuters, The Information, CocoLoop, ChosunBiz, Gelonghui; se contrastaron el rango de rendimiento de la HBM3E de CXMT, la referencia de rendimiento de SK Hynix y los datos de ponderación en el índice SSE.